碳化硅襯底生產(chǎn)通常有以下幾個步驟：

1）長晶：有物理氣相法（PVT）、化學(xué)氣相沉積法（HTCVD）和液態(tài)法（LPE）。物理氣相傳輸法是目前技術(shù)很成熟的碳化硅單晶生長方法，也是研究、開發(fā)和生產(chǎn)大尺寸SIC單晶的主要方法，國內(nèi)外多家企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)6-8英寸碳化硅單晶的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，但該方法生產(chǎn)的sic單晶仍然存在相當(dāng)數(shù)量的缺陷，如微管、位錯、寄生、多型等等，導(dǎo)致sic單晶片的價格十分昂貴。鑒于PVT法的一些問題，近幾年液態(tài)法生長碳化硅是得到越來越的重視，基本原理是碳（溶質(zhì)）被溶解在硅和助溶劑組成的高溫溶劑液體中，碳（溶質(zhì)）因過飽和而在碳化硅籽晶處析出，同時因晶格庫倫場的作用攜帶出硅原子，實(shí)現(xiàn)碳化硅晶體的生長。該方法具有生長溫度低，結(jié)晶質(zhì)量高、生長速度快，可以在短時間內(nèi)生長出尺寸達(dá)數(shù)厘米級的大尺寸碳化硅單晶，通過嚴(yán)格控制反應(yīng)條件，可以生長出高質(zhì)量、低缺陷度的晶體，此外，液相生長法還可以制備不同形狀和結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶片，如平板、立方體、三棱柱等。

2）切片：生長好的碳化硅單晶棒需要切除頭尾料，然后滾磨成所需的直徑大小，切平邊或者V槽后，再切成襯底片。目前通常用砂漿線切割和金剛石線切割技術(shù)。

3）研磨：切片后需要通過研磨來去除切割面的損傷層，以保障襯底片表面的質(zhì)量，大概去除50um。

4）腐蝕：腐蝕是為了進(jìn)一步去除切割和研磨造成的損傷層，以便為一下步的拋光工藝做好準(zhǔn)備。腐蝕通常有堿腐蝕和酸腐蝕，目前由于環(huán)保因素，大多數(shù)都采用堿腐蝕。腐蝕的去除量會達(dá)到30-40um，表面粗糙度也可以達(dá)到微米級。

5）拋光：拋光是襯底片生產(chǎn)的一道重要工藝，拋光是通過CMP（Chemical Mechanical Polished ）技術(shù)進(jìn)一步提高硅片的表面質(zhì)量，使其達(dá)到生產(chǎn)芯片的要求，拋光后表面粗糙度通常Ra<5A。

6）清洗包裝：由于集成電路線寬越來越小，因此對提高的顆粒度指標(biāo)要求也越來越高，清洗包裝也是硅片生產(chǎn)的一道重要工藝，通過超聲清洗能夠洗凈附著在硅片表面>0.3um以上的大部分顆粒，再通過免清洗的卡塞盒真空密封包裝或者沖惰性氣體包裝，從而使硅片表面的潔凈度達(dá)到集成電路的要求。