常見問題
碳化硅（SiC）晶體是一種重要的寬禁帶半導體材料，具有優良的半導體特性，在電力電子、光電、高功率微波等領域具有重要的應用。以碳化硅襯底材料制備出的一系列半導體器件，例如金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）、高電子遷移率晶體管（HEMET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等在電力電子、光電子、5G 通訊和高功率微波等領域已展開了大規模的應用，其優良的性能在新型電子器件領域引起了革命性的改變。碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光后形成碳化硅晶片，也稱碳化硅襯底片。
- 下一個：氧化硅片的產品特點
瀏覽手機站