SiC已是一種公認的在中高壓領域能夠可靠替代硅的技術，許多電源模塊和電源逆變器制造商已在產品路線圖中導入了SiC技術，SiCMOSFET器件更是被譽為新能源汽車電機控制器等領域的“硬通貨”。但是，SiC器件還處于發展初期，從粉末、晶錠、襯底、外延、芯片、封裝測試和模組制造，乃至終端應用都存在許多問題需要完善，尤其是車規級SiCMOSFET,仍需要繼續優化襯底缺陷、柵氧可靠性等關鍵點。

相比硅材料，SiC具備以下幾個主要優點：

●擊穿電場是硅的10倍，為此相比硅器件，SiC器件的漂移區更薄、漂移層摻雜濃度更高，顯著降低導通電阻，降低傳導功率損耗，提高功率效率。

禁帶寬度是硅的3倍，本征載流子濃度低，有更高的工作節溫，所以SiC器件能夠在更高的溫度下工作，系統冷卻需求減少，可以明顯降低設備體積和重量。

●電子飽和速度是硅的2倍，SiC器件可以比硅器件具有更高的切換頻率。

●導熱系數是硅的3倍，SiC具有更強的熱穩定性，產生的熱量更容易傳輸到散熱器和環境中。

迄今為止，在寬禁帶半導體中，從襯底質量到器件加工，SiC是很適用于功率器件的材料。

SiC不足之處：

相比于硅材料，SiC單晶襯底的生產技術并不成熟，同時制備工藝復雜，加工難度大。

●長晶速度慢，單一元素的硅可以通過提拉法長晶，速度可以達到3000mm/hr，而SiC長晶速度較慢，速度約

在0.2-0.5mm/hr,通常長一爐單晶需要7天時間。

●硅單晶最大長度可以達到2米，相比之下，SiC單晶目前最大厚度在50mm左右。

●目前，12英寸直徑的硅晶圓正在加速上量，而相比之下，大部分SiC單晶晶圓只有6英寸，目前量產的最大尺寸為8英寸。

●此外，SiC的缺陷密度也比較突出，是硅的300倍左右。