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碳化硅(SiC)有250種結晶形態，其中4H-SiC的禁帶寬度較大、載流子遷移率較高、摻雜劑離化能力較低，是很適合制作功率器件的晶型。根據電阻率不同，SiC襯底可分為導電型和半絕緣型。SiC單晶生長完成后，通過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工可形成SiC襯底片。其中，半絕緣型SiC襯底主要應用于微波射頻器件等領域；而導電型SiC襯底主要應用于制造功率器件。
4H-SiC單晶的生長方法有物理氣相傳輸法(PVT法)、高溫化學氣相沉積法(HTCVD法)和液相法(LPE法)等，以PVT為主流。
時間
PVT
HT-CVD
LPE
晶型
4H&6H
4H&6H
4H&6H
生長溫度(°C)
2200-2500
2200
1460-1800
生長(mm/h)
0.2-0.4
0.3-1.0
0.5-2
優點
很成熟、很常用
可持續的原料/可調整參數/一體化設備
類似提拉法
缺點
半絕緣制造困難
生長厚度受限
缺少一體化設備
速率和缺陷控制
金屬雜質，硅溶液碳的溶解度有限
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